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  • GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247

    TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :GA08JT17-247
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :GA08JT17-247-DS
  • Dokument :pdf download GA08JT17-247 Dokument
  • Beschreibung : TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
  • Verpackung :-
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GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
消費電力(最大):48W (Tc)
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc) (90°C)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:250mOhm @ 8A
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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