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GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227
IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Hersteller Modell :GB100XCP12-227
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GB100XCP12-227-DS
Dokument :
GB100XCP12-227 Dokument
GB100XCP12-227 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 38+ | $ 1057.2600 | $ 40175.88 |
| 75+ | $ 547.2000 | $ 41040 |
| 113+ | $ 370.8400 | $ 41904.92 |
| 150+ | $ 363.4200 | $ 54513 |
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GB100XCP12-227 Informationen
GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- 構成:Single
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 100A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:8.55 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB100XCP12-227 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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