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GeneSiC Semiconductor GBJ35J

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GeneSiC Semiconductor GBJ35J technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:4-SIP, GBJ
Technologie:Standard
Gerätepaket des Lieferanten:GBJ
Diodentyp:Single Phase
Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):600 V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):35 A
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 17.5 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 600 V
Basisproduktnummer:GBJ35
Verpackung:Bulk
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ35J bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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