1 / 1

1 : $8.1630

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247

Name: GC2X8MPS12-247
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GC2X8MPS12-247-DS
Price: 8.1630 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1534

MOQ: 1

4 Preisstufen

Hersteller Modell :GC2X8MPS12-247
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GC2X8MPS12-247-DS
Dokument : GC2X8MPS12-247 Dokument PDF
Beschreibung : SIC DIODE 1200V 15A TO-247-3
Verpackung :-
Einzelpreis: $8.1630
Gesamt: $8.16

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-1	$8.1630	-
2-3	$7.3170	10.4% Speichern
4-10	$6.4620	20.8% Speichern
11-30	$5.8050	28.9% Speichern

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

Produktstatus:Active

Montagetyp:Through Hole

Verpackung/ Koffer:TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3

Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)

Diodentyp:Silicon Carbide Schottky

Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.8 V @ 8 A

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:7 µA @ 1200 V

Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode

Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1200 V

Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):40A (DC)

Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

REACH-Status:REACH Unaffected

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.10.0080

China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

GC2X8MPS12-247 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.