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1 : $278.2000
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GeneSiC Semiconductor MBR60035CT
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Hersteller Modell :MBR60035CT
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBR60035CT-DS
Dokument :
MBR60035CT Dokument
MBR60035CT DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 20+ | $ 278.2000 | $ 5564 |
| 40+ | $ 265.3600 | $ 10614.4 |
| 80+ | $ 253.6600 | $ 20292.8 |
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MBR60035CT Informationen
GeneSiC Semiconductor MBR60035CT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Twin Tower
- サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:750 mV @ 300 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 mA @ 20 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):35 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):300A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR60035CT bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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