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GeneSiC Semiconductor MBRT60060R

DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBRT60060R
Dasenic Modell :MBRT60060R-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
20+$ 301.5200$ 6030.4
40+$ 287.6000$ 11504
80+$ 274.9200$ 21993.6
Auf Lager: 618
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 301.52
Gesamt :$ 301.52
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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MBRT60060R Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBRT60060R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:Three Tower
  • Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:800 mV @ 300 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:1 mA @ 20 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):60 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):300A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBRT60060R bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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