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1 : $306.1600

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GeneSiC Semiconductor MSRTA200160AD

DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MSRTA200160AD
Dasenic Modell :MSRTA200160AD-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
12+$ 306.1600$ 3673.92
24+$ 292.0200$ 7008.48
48+$ 279.1400$ 13398.72
Auf Lager: 613
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 306.16
Gesamt :$ 306.16
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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MSRTA200160AD Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MSRTA200160AD technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:Three Tower
  • Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
  • Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Standard
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 200 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 1600 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Series Connection
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1600 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):200A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MSRTA200160AD bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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