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ISSI® IS43LR16128B-6BLI
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
Hersteller Modell :IS43LR16128B-6BLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43LR16128B-6BLI-DS
Dokument :
IS43LR16128B-6BLI Dokument
IS43LR16128B-6BLI DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
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IS43LR16128B-6BLI Informationen
ISSI® IS43LR16128B-6BLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:60-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:60-TFBGA (8x10)
- メモリサイズ:2Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:166 MHz
- アクセス時間:5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:128M x 16
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LR16128B-6BLI bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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