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ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 1
- Hersteller Modell :IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-DS
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IS66WVH32M8DBLL-100B1LI Dokument
- Beschreibung : 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 1
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ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Verpackung/ Koffer:24-TBGA
Technologie:PSRAM (Pseudo SRAM)
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Spannungsversorgung:2.7V ~ 3.6V
Speichergröße:256Mbit
Speichertyp:Volatile
Taktfrequenz:100 MHz
Zugriffszeit:40 ns
Speicherformat:PSRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicher Organisation:32M x 8
Schreibzykluszeit- Word Page:40ns
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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