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IXYS DMA10P1600UZ-TRL
Hersteller Modell :DMA10P1600UZ-TRL
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DMA10P1600UZ-TRL-DS
Dokument : DMA10P1600UZ-TRL Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
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DMA10P1600UZ-TRL Informationen
IXYS DMA10P1600UZ-TRL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252AA
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):10A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.55 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 1600 V
- 静電容量 @ Vr、 F:1pF @ 400V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1600 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DMA10P1600UZ-TRL bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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