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Certifications for ISO45001
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  • IXYS IXDE504PI

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :IXDE504PI
  • Hersteller :IXYS
  • Dasenic Modell :IXDE504PI-DS
  • Dokument :pdf download IXDE504PI Dokument
  • Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
  • Verpackung :-
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IXYS IXDE504PI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
入力タイプ:Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DIP
電圧 - 供給:4.5V ~ 30V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:Low-Side
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク):4A, 4A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
上昇/下降時間(標準):9ns, 8ns
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXDE504PI
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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