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IXYS IXGA12N100
IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
- Hersteller Modell :IXGA12N100
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :IXGA12N100-DS
- Dokument :
IXGA12N100 Dokument
- Beschreibung : IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
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IXYS IXGA12N100 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabetyp:Standard
Leistung – Max:100 W
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263AA
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):24 A
Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):1000 V
I G B T- Typ:-
Vce(ein) ( Max) @ Vge, Ic:3.5V @ 15V, 12A
Strom - Kollektorpuls ( Icm):48 A
Energie schalten:2.5mJ (off)
Gate- Ladung:65 nC
Td (ein/aus) bei 25 ° C:100ns/850ns
Testbedingung:800V, 12A, 120Ohm, 15V
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:Vendor is not defined
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXGA12N100
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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