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IXYS IXGM40N60AL
POWER MOSFET TO-3
Hersteller Modell :IXGM40N60AL
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGM40N60AL-DS
Dokument :
IXGM40N60AL Dokument
IXGM40N60AL DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : POWER MOSFET TO-3
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IXGM40N60AL Informationen
IXYS IXGM40N60AL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- 入力タイプ:-
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):-
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:-
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:OBSOLETE
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXGM40N60AL bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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