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IXYS IXGQ28N120B
IGBT 1200V 50A 250W TO3P
- Hersteller Modell :IXGQ28N120B
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :IXGQ28N120B-DS
- Dokument :
IXGQ28N120B Dokument
- Beschreibung : IGBT 1200V 50A 250W TO3P
- Verpackung :-
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IXYS IXGQ28N120B technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
Eingabetyp:Standard
Leistung – Max:250 W
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):50 A
Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):1200 V
I G B T- Typ:-
Vce(ein) ( Max) @ Vge, Ic:3.5V @ 15V, 28A
Strom - Kollektorpuls ( Icm):150 A
Energie schalten:2mJ (off)
Gate- Ladung:92 nC
Td (ein/aus) bei 25 ° C:30ns/180ns
Testbedingung:960V, 28A, 5Ohm, 15V
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXGQ28N120B
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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