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IXYS IXXN200N65A4
IGBT
Hersteller Modell :IXXN200N65A4
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXXN200N65A4-DS
Dokument :
IXXN200N65A4 Dokument
IXXN200N65A4 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 54.7200 | $ 54.72 |
| 3+ | $ 49.1000 | $ 147.3 |
| 10+ | $ 43.4800 | $ 434.8 |
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IXXN200N65A4 Informationen
IXYS IXXN200N65A4 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:1250 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- 逆回復時間 (trr):160 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):440 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.8V @ 15V, 200A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):1200 A
- エネルギーの切り替え:8.8mJ (on), 6.7mJ (off)
- ゲートチャージ:736 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:140ns/1.04µs
- テスト条件:400V, 100A, 1Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXXN200N65A4 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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