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IXYS IXYT55N120A4HV
IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV
Hersteller Modell :IXYT55N120A4HV
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXYT55N120A4HV-DS
Dokument :
IXYT55N120A4HV Dokument
IXYT55N120A4HV DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 11.3670 | $ 11.37 |
| 30+ | $ 9.1992 | $ 275.98 |
| 120+ | $ 8.6582 | $ 1038.98 |
| 510+ | $ 7.8465 | $ 4001.72 |
| 1020+ | $ 7.1971 | $ 7341.04 |
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IXYT55N120A4HV Informationen
IXYS IXYT55N120A4HV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:650 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268HV (IXYT)
- 逆回復時間 (trr):35 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):175 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.8V @ 15V, 55A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):350 A
- エネルギーの切り替え:2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
- ゲートチャージ:110 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:23ns/300ns
- テスト条件:600V, 40A, 5Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYT55N120A4HV bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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