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IXYS VUO85-12NO7

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 85A FO-T-A
part number has RoHS
Hersteller Modell :VUO85-12NO7
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :VUO85-12NO7-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 3P 1.2KV 85A FO-T-A
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VUO85-12NO7 Informationen

  • IXYS VUO85-12NO7 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:FO-T-A
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:FO-T-A
  • ダイオードタイプ:Three Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):1.2 kV
  • 電流 - 平均整流 ( Io):85 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.6 V @ 150 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:500 µA @ 1200 V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
VUO85-12NO7 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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