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Kioxia America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
- Hersteller Modell :TH58NYG2S3HBAI4
- Hersteller :Kioxia America, Inc.
- Dasenic Modell :TH58NYG2S3HBAI4-DS
- Dokument :
TH58NYG2S3HBAI4 Dokument
- Beschreibung : IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
- Verpackung :-
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Kioxia America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:63-BGA
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Gerätepaket des Lieferanten:63-BGA (9x11)
Speichergröße:4Gb (512M x 8)
Speichertyp:Non-Volatile
Spannung - Versorgung:1.7V ~ 1.95V
Taktfrequenz:-
Zugriffszeit:-
Gedächtnis- Format:Flash
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:25ns
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:3A991B1A
HTS USA:8542.32.0071
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Kioxia America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4
KIOXIA America, Inc. (vormals Toshiba Memory America, Inc.) ist die in den USA ansässige Tochtergesellschaft der KIOXIA Corporation, einem weltweit führenden Anbieter von Flash-Speicher und Solid-State-Laufwerken (SSDs). Von der Erfindung des Flash-Speichers bis zur heutigen bahnbrechenden BiCS FLASH™ 3D-Technologie ist KIOXIA weiterhin Vorreiter bei hochmodernen Speicherlösungen und -diensten, die das Leben der Menschen bereichern und den Horizont der Gesellschaft erweitern. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie des Unternehmens, BiCS FLASH™, gestaltet die Zukunft der Speicherung in hochdichten Anwendungen, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, SSDs, Automobile und Rechenzentren.
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