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Kioxia America, Inc. THGJFGT1E45BAIL
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MOQ: 1
5 Preisstufen
- Hersteller Modell :THGJFGT1E45BAIL
- Hersteller :Kioxia America, Inc.
- Dasenic Modell :THGJFGT1E45BAIL-DS
- Dokument : THGJFGT1E45BAIL Dokument PDF
- Beschreibung : IC FLASH 2TBIT UFS 3.1 153BGA
- Verpackung :-
- Einzelpreis: $71.2890Gesamt: $71.29
Menge | Einzelpreis | Speichern |
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1-1 | $71.2890 | - |
2-10 | $64.6110 | 9.4% Speichern |
11-25 | $61.9470 | 13.1% Speichern |
26-50 | $61.8660 | 13.2% Speichern |
51-100 | $60.0210 | 15.8% Speichern |
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Kioxia America, Inc. THGJFGT1E45BAIL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-25°C ~ 85°C
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:153-WBGA
Technologie:FLASH - NOR (SLC)
Gerätepaket des Lieferanten:153-BGA (11.5x13)
Speichergröße:2Tbit
Speichertyp:Non-Volatile
Spannung - Versorgung:2.4V ~ 3.6V, 2.7V ~ 3.6V
Taktfrequenz:1.16 GHz
Gedächtnis- Format:Flash
Speicherschnittstelle:UFS 3.1
Serie:e•MMC™
Speicherorganisation:256G x 8
Verpackung:Tray
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
THGJFGT1E45BAIL bereitgestellt von Kioxia America, Inc.
KIOXIA America, Inc. (vormals Toshiba Memory America, Inc.) ist die in den USA ansässige Tochtergesellschaft der KIOXIA Corporation, einem weltweit führenden Anbieter von Flash-Speicher und Solid-State-Laufwerken (SSDs). Von der Erfindung des Flash-Speichers bis zur heutigen bahnbrechenden BiCS FLASH™ 3D-Technologie ist KIOXIA weiterhin Vorreiter bei hochmodernen Speicherlösungen und -diensten, die das Leben der Menschen bereichern und den Horizont der Gesellschaft erweitern. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie des Unternehmens, BiCS FLASH™, gestaltet die Zukunft der Speicherung in hochdichten Anwendungen, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, SSDs, Automobile und Rechenzentren.
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Bewertungen und Rezensionen
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John D.
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