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Ohmite RW1S0BAR030FET
RES SMD 30M OHM 1% 1W J LEAD
Hersteller Modell :RW1S0BAR030FET
Hersteller :Ohmite
Dasenic Modell :RW1S0BAR030FET-DS
Dokument :
RW1S0BAR030FET Dokument
RW1S0BAR030FET DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : RES SMD 30M OHM 1% 1W J LEAD 2512 J-Lead
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 8.3100 | $ 83.1 |
| 2000+ | $ 5.5400 | $ 11080 |
| 10000+ | $ 5.2600 | $ 52600 |
| 200000+ | $ 4.9800 | $ 996000 |
Auf Lager: 1683
MOQ :1 PCS
Verpackung :2512 J-Lead
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
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Einzelpreis :$ 8.31
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RW1S0BAR030FET Informationen
Ohmite RW1S0BAR030FET technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Resistors/Chip Resistors & Surface Mount Resistors
- 製品ステータス:Active
- 許容範囲:±1%
- 温度係数:-
- 動作温度:-55°C ~ 150°C
- 特徴:Current Sense
- 評価:-
- 故障率:-
- パッケージ/ケース:2512 J-Lead
- サイズ:0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm)
- 高さ - 着席時（最大）:0.141" (3.58mm)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SMD J-Lead, Pedestal
- 電力（ワット）:1W
- 解約数:2
- 抵抗:30 mOhms
- 構成:Wirewound
RW1S0BAR030FET bereitgestellt von Ohmite
Ohmite Manufacturing Company は、95 年以上にわたり、高電流、高電圧、高エネルギー用途の抵抗製品を提供する大手プロバイダーです。同社の抵抗器構造には、巻線、ワイヤ エレメント、厚膜、セラミック コンポジションが含まれます。Ohmite Manufacturing Company は、1925 年にシカゴ西部の小さな工場で操業を開始しました。1998 年に、Ohmite は米国を拠点とする多国籍持株会社 Heico Companies LLC に買収されました。Heico Companies LLC の支援を受けて強化された Ohmite は、大規模な要件と小規模な要件の両方に対応するために必要な柔軟性を維持するよう努めています。当社は、工業、医療、軍事、航空宇宙業界の世界中のお客様に、幅広い種類の電力抵抗器を提供しています。継続的な製品開発を通じて、当社は、今日の高度な高電圧、高電流、高エネルギー回路設計に必要な最新の抵抗器技術を提供し続けています。
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