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PN Junction Semiconductor P3D06020P3
DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO3PF-3
- Hersteller Modell :P3D06020P3
- Hersteller :PN Junction Semiconductor
- Dasenic Modell :P3D06020P3-DS
- Dokument :
P3D06020P3 Dokument - Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO3PF-3
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 7.956Gesamt : $ 7.96
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1 + | $ 7.9560 | $ 7.96 |
| 11 + | $ 7.1910 | $ 79.10 |
| 101 + | $ 5.9508 | $ 601.03 |
| 501 + | $ 5.1714 | $ 2590.87 |
| 1001 + | $ 4.5270 | $ 4531.53 |
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PN Junction Semiconductor P3D06020P3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Produktstatus:Active
Montagetyp:-
Verpackung/ Koffer:TO-3PF-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PF-3
Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):40A (DC)
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:44 µA @ 650 V
Kapazität @ Vr, F:-
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):650 V
Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C (TJ)
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
REACH-Status:REACH Affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3D06020P3
PN Junction Semiconductor wurde im September 2018 als führende Marke für Leistungshalbleiterbauelemente der dritten Generation in China gegründet. Die Hauptprodukte des Unternehmens sind Siliziumkarbid-MOSFETs, Siliziumkarbid-SBDs und Galliumnitrid-Leistungsbauelemente in Automobilqualität. Das Unternehmen verfügt über den umfassendsten Katalog an Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen in China, wobei Siliziumkarbid-MOSFETs und SBDs verschiedene Spannungsniveaus und Strombelastbarkeiten abdecken, die alle die AEC-Q101-Prüfung und -Zertifizierung bestanden haben und verschiedene Anwendungsszenarien der Kunden erfüllen können. Dr. Huang Xing, der Gründer von PN Junction Semiconductor, ist seit 2009 intensiv in das Design und die Entwicklung von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Leistungsbauelementen involviert und hat bei Professor B. Jayant Baliga, dem Erfinder des IGBT, und Professor Alex Huang, dem Erfinder des Thyristors, studiert. Derzeit hat PN Junction Semiconductor mehr als 100 verschiedene Modelle von Siliziumkarbiddioden, Siliziumkarbid-MOSFETs, Siliziumkarbid-Leistungsmodulen und GaN-HEMT-Produkten auf den Spannungsplattformen 650 V, 1200 V und 1700 V auf den Markt gebracht. Massenproduzierte Produkte werden häufig in Elektrofahrzeugen, Stromversorgungen für IT-Geräte, Photovoltaik-Wechselrichtern, Energiespeichersystemen, industriellen Anwendungen und anderen Bereichen eingesetzt und sorgen für eine kontinuierliche und stabile Versorgung der Tier-1-Hersteller.
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