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ROHM Semiconductor BR93G56FVJ-3GTE2
Hersteller Modell :BR93G56FVJ-3GTE2
Hersteller :ROHM Semiconductor
Dasenic Modell :BR93G56FVJ-3GTE2-DS
Dokument : BR93G56FVJ-3GTE2 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP
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BR93G56FVJ-3GTE2 Informationen
ROHM Semiconductor BR93G56FVJ-3GTE2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Obsolete
- Verpackung/ Koffer:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Technologie:EEPROM
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
- Spannungsversorgung:1.7V ~ 5.5V
- Speichergröße:2Kbit
- Speichertyp:Non-Volatile
- Taktfrequenz:3 MHz
- Speicherformat:EEPROM
- Speicherschnittstelle:Microwire
- Speicher Organisation:256 x 8, 128 x 16
- Schreibzykluszeit- Word Page:5ms
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- US-ECCN:Provided as per user requirements
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BR93G56FVJ-3GTE2 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Bauteilen. Das 1958 gegründete multinationale Konzernunternehmen mit Hauptsitz in Kyoto, Japan, hat seinen Geschäftsbereich seit seiner Gründung vor über 60 Jahren durch den Ausbau seiner Design- und Fertigungstechnologien, Qualitätssicherungstechnologien und Lösungsangebotskapazitäten erweitert. Diese im Laufe seiner langen Geschichte angesammelten Technologien und Kapazitäten zeichnen sich durch vier Hauptmerkmale aus: integrale Technologien, IDM (vertikale Integration als integrierter Gerätehersteller), eine breite Produktpalette und Kundenorientierung. Durch unseren Fokus auf Strom- und Analogtechnologielösungen, bei denen wir diese Stärken maximal nutzen können, bieten wir unseren Kunden einen hohen Mehrwert und tragen zur Lösung sozialer Probleme bei.
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