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GeneSiC Semiconductor GBU8G
Hersteller Modell :GBU8G
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GBU8G-DS
Dokument : GBU8G Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU
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GBU8G Informationen
GeneSiC Semiconductor GBU8G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:4-SIP, GBU
- Technologie:Standard
- Gerätepaket des Lieferanten:GBU
- Diodentyp:Single Phase
- Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):400 V
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):8 A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 8 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 µA @ 400 V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBU8G bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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