1 / 1

1 : $17.9910

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Tagore Technology TA9110K

Name: TA9110K
Brand: Tagore Technology
SKU: TA9110K-DS
Price: 17.9910 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1561

MOQ: 1

2 Preisstufen

Hersteller Modell :TA9110K
Hersteller :Tagore Technology
Dasenic Modell :TA9110K-DS
Dokument : TA9110K Dokument PDF
Beschreibung : PA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
Verpackung :-
Einzelpreis: $17.9910
Gesamt: $17.99

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-1	$17.9910	-
2-100	$17.9888	0.0% Speichern

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

Tagore Technology TA9110K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Produktstatus:Active

Nennspannung:120 V

Verpackung/ Koffer:-

Frequenz:30MHz ~ 4GHz

Nennstrom ( Ampere):500mA

Gerätepaket des Lieferanten:-

Leistung - Ausgang:6W

Transistortyp:GaN HEMT

Gewinnen:17dB

Spannung - Prüfung:32 V

Rauschzahl:-

Aktuell - Test:40 mA

EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

REACH-Status:REACH Unaffected

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0075

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TA9110K bereitgestellt von Tagore Technology

Tagore Technology wurde im Januar 2011 als Pionier der Galliumnitrid-auf-Silizium-Halbleitertechnologie (GaN-auf-Si) für Hochfrequenz- (RF) und Energiemanagementanwendungen gegründet. Unsere fortschrittlichen proprietären Technologien und Geräte reduzieren Komplexität, Größe, Gewicht und Stromverbrauch von Systemlösungen zu einem aggressiven Preis erheblich – und bieten eine dramatisch verbesserte Leistungsumwandlungs-Gütezahl im Vergleich zu Siliziumlösungen. Wir sind ein fabrikloses Halbleiterunternehmen mit Designzentren in Arlington Heights, Illinois, USA und Kalkutta, Indien. Unser F&E-Team widmet sich der Entwicklung bahnbrechender Lösungen unter Nutzung von Wide-Bandgap-Technologien, die dazu beitragen, die HF- und Energiedesign-Herausforderungen unserer Kunden zu bewältigen und die Markteinführungszeit für eine breite Palette von Anwendungen zu verkürzen, von der 5G-Mobilfunkinfrastruktur bis hin zu Verbraucher-, Automobil-, Verteidigungs- und Sicherheitsanwendungen. Wir arbeiten mit führenden Halbleitergießereien und Montagehäusern zusammen, um Produkte zu liefern, die Premiumqualität und nachweislich hohe Zuverlässigkeit bieten.