1 / 1

1 : $63.1080

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Tagore Technology TA9410E

Name: TA9410E
Brand: Tagore Technology
SKU: TA9410E-DS
Price: 63.1080 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1554

MOQ: 1

3 Preisstufen

Hersteller Modell :TA9410E
Hersteller :Tagore Technology
Dasenic Modell :TA9410E-DS
Dokument : TA9410E Dokument PDF
Beschreibung : PA RF GAN PWR 25W .03-4GHZ 50V
Verpackung :-
Einzelpreis: $63.1080
Gesamt: $63.11

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-1	$63.1080	-
2-100	$54.6210	13.4% Speichern
101-500	$50.7420	19.6% Speichern

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

Tagore Technology TA9410E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Produktstatus:Active

Nennspannung:50 V

Verpackung/ Koffer:8-VDFN Exposed Pad

Frequenz:20MHz ~ 3GHz

Nennstrom ( Ampere):30A

Gerätepaket des Lieferanten:8-QFN (5x6)

Leistung - Ausgang:25W

Transistortyp:GaN HEMT

Gewinnen:17dB

Spannung - Prüfung:-

Rauschzahl:-

Aktuell - Test:-

EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

REACH-Status:REACH Unaffected

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8542.33.0001

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TA9410E bereitgestellt von Tagore Technology

Tagore Technology wurde im Januar 2011 als Pionier der Galliumnitrid-auf-Silizium-Halbleitertechnologie (GaN-auf-Si) für Hochfrequenz- (RF) und Energiemanagementanwendungen gegründet. Unsere fortschrittlichen proprietären Technologien und Geräte reduzieren Komplexität, Größe, Gewicht und Stromverbrauch von Systemlösungen zu einem aggressiven Preis erheblich – und bieten eine dramatisch verbesserte Leistungsumwandlungs-Gütezahl im Vergleich zu Siliziumlösungen. Wir sind ein fabrikloses Halbleiterunternehmen mit Designzentren in Arlington Heights, Illinois, USA und Kalkutta, Indien. Unser F&E-Team widmet sich der Entwicklung bahnbrechender Lösungen unter Nutzung von Wide-Bandgap-Technologien, die dazu beitragen, die HF- und Energiedesign-Herausforderungen unserer Kunden zu bewältigen und die Markteinführungszeit für eine breite Palette von Anwendungen zu verkürzen, von der 5G-Mobilfunkinfrastruktur bis hin zu Verbraucher-, Automobil-, Verteidigungs- und Sicherheitsanwendungen. Wir arbeiten mit führenden Halbleitergießereien und Montagehäusern zusammen, um Produkte zu liefern, die Premiumqualität und nachweislich hohe Zuverlässigkeit bieten.