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Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F)

NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
part number has RoHS
Hersteller Modell :RN1707JE(TE85L,F)
Dasenic Modell :RN1707JE(TE85L,F)-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 0.2160$ 0.22
10+$ 0.1386$ 1.39
100+$ 0.0630$ 6.3
1000+$ 0.0495$ 49.5
4000+$ 0.0486$ 194.4
Auf Lager: 10164
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.216
Gesamt :$ 0.22
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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RN1707JE(TE85L,F) Informationen

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-553
  • パワー - 最大:100mW
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ESV
  • トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
  • Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):500nA
  • D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
  • 周波数 - 遷移:250MHz
  • 抵抗器 - ベース ( R1):10kOhms
  • 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1707JE(TE85L,F) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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