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  • Transphorm TPH3205WSB

    GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :TPH3205WSB
  • Hersteller :Transphorm
  • Dasenic Modell :TPH3205WSB-DS
  • Dokument :pdf download TPH3205WSB Dokument
  • Beschreibung : GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
  • Verpackung :-
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Transphorm TPH3205WSB technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-247-3
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Verlustleistung (max.):125W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:36A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:60mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.6V @ 700µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:42 nC @ 8 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:2200 pF @ 400 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
Vgs (max.):±18V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
REACH-Status:Vendor is not defined
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Transphorm TPH3205WSB
Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.
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