Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $11.2500
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
UnitedSiC UF3C065040K4S
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Hersteller Modell :UF3C065040K4S
Hersteller :UnitedSiC
Dasenic Modell :UF3C065040K4S-DS
Dokument :
UF3C065040K4S Dokument
UF3C065040K4S DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 11.2500 | $ 11.25 |
| 25+ | $ 9.7740 | $ 244.35 |
| 100+ | $ 11.2500 | $ 1125 |
| 250+ | $ 7.7670 | $ 1941.75 |
| 500+ | $ 7.5375 | $ 3768.75 |
Auf Lager: 7980
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 11.25
Gesamt :$ 11.25
Waren ausliefern :
Zahlung :
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
UF3C065040K4S Informationen
UnitedSiC UF3C065040K4S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-4
- テクノロジー:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
- 消費電力（最大）:326W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:54A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 40A, 12V
- Vgs(th) (最大) @ Id:6V @ 10mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:43 nC @ 12 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1500 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:12V
- Vgs (最大):±25V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UF3C065040K4S bereitgestellt von UnitedSiC
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品（IDP）事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
UnitedSiC Verwandte Produkte
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.
