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UnitedSiC UF3C120150K3S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
- Hersteller Modell :UF3C120150K3S
- Hersteller :UnitedSiC
- Dasenic Modell :UF3C120150K3S-DS
- Dokument :
UF3C120150K3S Dokument
- Beschreibung : SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
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UnitedSiC UF3C120150K3S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Obsolete
Betriebstemperatur:-
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-247-3
Technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Verlustleistung (max.):-
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:18.4A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
Vgs(th) ( Max) @ Id:-
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-
Vgs (max.):-
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:Vendor is not defined
US-ECCN:Provided as per user requirements
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
UnitedSiC UF3C120150K3S
1999 gründete ein kleines Forscherteam der Rutgers University UnitedSiC. 2010 baute UnitedSiC einen Reinraum für die Pilotproduktion in der Nähe von Princeton, New Jersey, um die SiC-Prozesse so weit zu verbessern, dass sie direkt in einer kommerziellen Gießerei installiert werden konnten. Zu diesem Zeitpunkt wurde UnitedSiC ein Fabless-Unternehmen, das seine Ressourcen auf Produktdesign, Forschung und Entwicklung sowie Kundensupport konzentrierte. Am 3. November 2021 gab Qorvo die Übernahme von UnitedSiC bekannt, wodurch UnitedSiC Teil des Geschäftsbereichs Infrastruktur- und Verteidigungsprodukte (IDP) von Qorvo wurde. Die UnitedSiC-Technologie, zusammen mit Qorvos ergänzenden programmierbaren Energiemanagementprodukten und erstklassigen Lieferkettenkapazitäten, wird es UnitedSiC ermöglichen, ein Höchstmaß an Energieeffizienz in den fortschrittlichsten Anwendungen zu liefern. Kunden auf der ganzen Welt verwenden jetzt die FET-, JFET- und Schottky-Diodengeräte von UnitedSiC in neuen Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV), AC-DC- und DC-DC-Stromversorgungen, Halbleiterleistungsschaltern, Motorantrieben mit variabler Drehzahl und Solar-PV-Wechselrichtern.
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