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Wolfspeed CAB530M12BM3

Name: CAB530M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: DS-6120872
Price: 1814.98 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE

Hersteller Modell :CAB530M12BM3

Hersteller :Wolfspeed

Dasenic Modell :CAB530M12BM3-DS

Dokument :

CAB530M12BM3 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : 1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE

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CAB530M12BM3 Informationen

Wolfspeed CAB530M12BM3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
F E Tタイプ:2 N-Channel
F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:530A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.55mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 140mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1362nC @ 4V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:39.6nF @ 800V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
CAB530M12BM3,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

CAB530M12BM3 bereitgestellt von Wolfspeed

Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。