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Alliance Memory AS4C8M16SA-6BINTR

IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
part number has RoHS
Hersteller Modell :AS4C8M16SA-6BINTR
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS4C8M16SA-6BINTR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 3.6900$ 3.69
10+$ 3.2850$ 32.85
100+$ 3.2400$ 324
250+$ 3.1680$ 792
500+$ 3.1140$ 1557
Auf Lager: 42188
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 3.69
Gesamt :$ 3.69
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Zahlung :
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AS4C8M16SA-6BINTR Informationen

  • Alliance Memory AS4C8M16SA-6BINTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:54-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM
  • サプライヤーデバイスパッケージ:54-TFBGA (8x8)
  • メモリサイズ:128Mb (8M x 16)
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
  • クロック周波数:166 MHz
  • アクセス時間:5 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:12ns
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.32.0002
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C8M16SA-6BINTR bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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