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Alliance Memory AS4C512M16D3LA-10BANTR
MEMORY
- Hersteller Modell :AS4C512M16D3LA-10BANTR
- Hersteller :Alliance Memory
- Dasenic Modell :AS4C512M16D3LA-10BANTR-DS
- Dokument :
AS4C512M16D3LA-10BANTR Dokument
- Beschreibung : MEMORY
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Alliance Memory AS4C512M16D3LA-10BANTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:96-TFBGA
Technologie:SDRAM - DDR3L
Gerätepaket des Lieferanten:96-FBGA (13.5x9)
Speichergröße:8Gbit
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:1.275V ~ 1.425V
Taktfrequenz:933 MHz
Zugriffszeit:20 ns
Gedächtnis- Format:DRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
Serie:Automotive, AEC-Q100
Speicherorganisation:512M x 16
Verpackung:Tape & Reel (TR)
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Alliance Memory AS4C512M16D3LA-10BANTR
Alliance Memory ist ein weltweiter Fabless-Hersteller von Speicherprodukten mit veralteter und neuer Technologie, die Pin-für-Pin-Drop-In-Ersatz für SRAM-, DRAM- und NOR-FLASH-ICs von Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix und anderen sind. Unser Ziel ist es, langfristige Beziehungen zu Kunden aufzubauen und langfristigen Support für die von uns hergestellten Teile zu bieten. Wir liefern die meisten unserer SRAM-, DRAM- und FLASH-Produkte direkt ab Lager, wobei die Lagerbestände in den USA, Shanghai und Taiwan gelagert werden. Unsere wettbewerbsfähigen Preise, schnelle Musterbearbeitung und unser erstklassiger Kundendienst und Support haben Alliance Memory zu einer vertrauenswürdigen Quelle für eine wachsende Palette unverzichtbarer Speicher-ICs für die Kommunikations-, Computer-, Embedded-, IoT-, Industrie- und Verbrauchermärkte gemacht. Alliance Memory, Inc. ist ein privates Unternehmen mit Hauptsitz in Washington, USA.
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