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Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR

MEMORY
part number has RoHS
Hersteller Modell :AS4C64M16MD2A-25BINTR
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS4C64M16MD2A-25BINTR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MEMORY
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 6.9300$ 6.93
10+$ 6.3810$ 63.81
25+$ 6.2460$ 156.15
100+$ 5.5890$ 558.9
250+$ 5.4180$ 1354.5
Auf Lager: 5364
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 6.93
Gesamt :$ 6.93
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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AS4C64M16MD2A-25BINTR Informationen

  • Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:134-VFBGA
  • Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Gerätepaket des Lieferanten:134-FBGA (10x11.5)
  • Speichergröße:1Gbit
  • Speichertyp:Volatile
  • Spannung - Versorgung:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
  • Taktfrequenz:400 MHz
  • Zugriffszeit:5.5 ns
  • Gedächtnis- Format:DRAM
  • Speicherschnittstelle:HSUL_12
  • Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
  • Speicherorganisation:64M x 16
  • Verpackung:Tape & Reel (TR)
  • MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C64M16MD2A-25BINTR bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory ist ein weltweiter Fabless-Hersteller von Speicherprodukten mit veralteter und neuer Technologie, die Pin-für-Pin-Drop-In-Ersatz für SRAM-, DRAM- und NOR-FLASH-ICs von Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix und anderen sind. Unser Ziel ist es, langfristige Beziehungen zu Kunden aufzubauen und langfristigen Support für die von uns hergestellten Teile zu bieten. Wir liefern die meisten unserer SRAM-, DRAM- und FLASH-Produkte direkt ab Lager, wobei die Lagerbestände in den USA, Shanghai und Taiwan gelagert werden. Unsere wettbewerbsfähigen Preise, schnelle Musterbearbeitung und unser erstklassiger Kundendienst und Support haben Alliance Memory zu einer vertrauenswürdigen Quelle für eine wachsende Palette unverzichtbarer Speicher-ICs für die Kommunikations-, Computer-, Embedded-, IoT-, Industrie- und Verbrauchermärkte gemacht. Alliance Memory, Inc. ist ein privates Unternehmen mit Hauptsitz in Washington, USA.
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