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Alliance Memory AS6CE4016B-45ZIN

2.7V~3.6V 4MB (X16) LP SRAM, 45N
part number has RoHS
Hersteller Modell :AS6CE4016B-45ZIN
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS6CE4016B-45ZIN-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 2.7V~3.6V 4MB (X16) LP SRAM, 45N
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 4.1934$ 4.19
100+$ 3.9228$ 392.28
1000+$ 3.6974$ 3697.4
10000+$ 3.3818$ 33818
Auf Lager: 12826
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 4.19
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AS6CE4016B-45ZIN Informationen

  • Alliance Memory AS6CE4016B-45ZIN technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • テクノロジー:SRAM - Asynchronous
  • サプライヤーデバイスパッケージ:44-TSOP II
  • メモリサイズ:4Mbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
  • アクセス時間:45 ns
  • メモリフォーマット:SRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns
  • 記憶の組織化:256K x 16
  • パッケージ:Tray
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.32.0041
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS6CE4016B-45ZIN bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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