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Alliance Memory AS7C325632-10BINTR

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA
part number has RoHS
Hersteller Modell :AS7C325632-10BINTR
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS7C325632-10BINTR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 42.0720$ 420.72
250+$ 35.0600$ 8765
Auf Lager: 1341
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 42.072
Gesamt :$ 42.07
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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AS7C325632-10BINTR Informationen

  • Alliance Memory AS7C325632-10BINTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:90-TFBGA
  • Technologie:SRAM - Asynchronous
  • Gerätepaket des Lieferanten:90-TFBGA (8x13)
  • Speichergröße:8Mbit
  • Speichertyp:Volatile
  • Spannung - Versorgung:2.7V ~ 3.6V
  • Zugriffszeit:10 ns
  • Gedächtnis- Format:SRAM
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Schreibzykluszeit – Wort, Seite:10ns
  • Basisproduktnummer:AS7C325632
  • Speicherorganisation:1M x 8
  • Verpackung:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:3A991B2A
  • HTS USA:8542.32.0041
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS7C325632-10BINTR bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory ist ein weltweiter Fabless-Hersteller von Speicherprodukten mit veralteter und neuer Technologie, die Pin-für-Pin-Drop-In-Ersatz für SRAM-, DRAM- und NOR-FLASH-ICs von Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix und anderen sind. Unser Ziel ist es, langfristige Beziehungen zu Kunden aufzubauen und langfristigen Support für die von uns hergestellten Teile zu bieten. Wir liefern die meisten unserer SRAM-, DRAM- und FLASH-Produkte direkt ab Lager, wobei die Lagerbestände in den USA, Shanghai und Taiwan gelagert werden. Unsere wettbewerbsfähigen Preise, schnelle Musterbearbeitung und unser erstklassiger Kundendienst und Support haben Alliance Memory zu einer vertrauenswürdigen Quelle für eine wachsende Palette unverzichtbarer Speicher-ICs für die Kommunikations-, Computer-, Embedded-, IoT-, Industrie- und Verbrauchermärkte gemacht. Alliance Memory, Inc. ist ein privates Unternehmen mit Hauptsitz in Washington, USA.
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