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Rochester Electronics NE5550779A-T1-A
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Hersteller Modell :NE5550779A-T1-A
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :NE5550779A-T1-A-DS
Dokument :
NE5550779A-T1-A Dokument
NE5550779A-T1-A DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 14.5622 | $ 145.62 |
| 1000+ | $ 9.7081 | $ 9708.1 |
| 2000+ | $ 9.3486 | $ 18697.2 |
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NE5550779A-T1-A Informationen
Rochester Electronics NE5550779A-T1-A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Obsolete
- 電圧 - 定格:30 V
- パッケージ/ケース:4-SMD, Flat Leads
- 頻度:900MHz
- 定格電流（アンペア）:2.1A
- サプライヤーデバイスパッケージ:79A
- 電力 - 出力:38.5dBm
- トランジスタタイプ:LDMOS
- 得:22dB
- 電圧 - テスト:7.5 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:140 mA
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0075
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NE5550779A-T1-A bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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