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GeneSiC Semiconductor GBPC3502W
Hersteller Modell :GBPC3502W
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GBPC3502W-DS
Dokument : GBPC3502W Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
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GBPC3502W Informationen
GeneSiC Semiconductor GBPC3502W technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:4-Square, GBPC-W
- Technologie:Standard
- Gerätepaket des Lieferanten:GBPC-W
- Diodentyp:Single Phase
- Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):200 V
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):35 A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 17.5 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 µA @ 200 V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC3502W bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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