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  • GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D

    SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :G2R1000MT17D
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :G2R1000MT17D-DS
  • Dokument :pdf download G2R1000MT17D Dokument
  • Beschreibung : SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
  • Verpackung :-
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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力(最大):53W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:139 pF @ 1000 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):20V
Vgs (最大):+20V, -5V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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