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GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
- Hersteller Modell :G2R50MT33K
- Hersteller :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Modell :G2R50MT33K-DS
- Dokument :
G2R50MT33K Dokument - Beschreibung : 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 242.946Gesamt : $ 242.95
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( MOQ : 1 PCS )PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 30 + | $ 242.9460 | $ 7288.38 |
| 3000 + | $ 240.5160 | $ 721548.00 |
| 6000 + | $ 238.1040 | $ 1428624.00 |
| 9000 + | $ 235.7280 | $ 2121552.00 |
| 12000 + | $ 233.3700 | $ 2800440.00 |
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GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-247-4
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
Verlustleistung (max.):536W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:Standard
Drain- Source- Spannung ( Vdss):3300 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:63A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) ( Max) @ Id:3.5V @ 10mA (Typ)
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:340 nC @ 20 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:7301 pF @ 1000 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):20V
Vgs (max.):+25V, -10V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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