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  • GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J

    SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :G3R450MT17J
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :G3R450MT17J-DS
  • Dokument :pdf download G3R450MT17J Dokument
  • Beschreibung : SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
  • Verpackung :-
  • Menge :
    Einzelpreis : $ 5.3136Gesamt : $ 5.31
  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
  • Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
  • Waren ausliefern :
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PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
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500 +$ 4.4280$ 2214.00
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GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
Verlustleistung (max.):91W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):1700 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:9A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:585mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.7V @ 2mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:18 nC @ 15 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:454 pF @ 1000 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V
Vgs (max.):±15V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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