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Certifications for ISO9001
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Certifications for ISO45001
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  • GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201

    SIC DIODE 15000V 1A DO-201
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :GA01PNS150-201
  • Hersteller :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Modell :GA01PNS150-201-DS
  • Dokument :pdf download GA01PNS150-201 Dokument
  • Beschreibung : SIC DIODE 15000V 1A DO-201
  • Verpackung :-
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  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - RF
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung/ Koffer:DO-201AD, Axial
Gerätepaket des Lieferanten:DO-201
Aktuell - Max:1 A
Diodentyp:PIN - Single
Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):15000V
Kapazität @ Vr, F:22pF @ 1V, 1MHz
Widerstand @ If, F:-
Verlustleistung (max.):-
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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