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GeneSiC Semiconductor MBR60030CTL
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
Hersteller Modell :MBR60030CTL
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBR60030CTL-DS
Dokument :
MBR60030CTL Dokument
MBR60030CTL DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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MBR60030CTL Informationen
GeneSiC Semiconductor MBR60030CTL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Produktstatus:Obsolete
- Montagetyp:Chassis Mount
- Verpackung/ Koffer:Twin Tower
- Gerätepaket des Lieferanten:Twin Tower
- Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Diodentyp:Schottky
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:580 mV @ 300 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:3 mA @ 30 V
- Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):30 V
- Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):300A
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBR60030CTL bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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