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GeneSiC Semiconductor MBRT120150R
DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
Hersteller Modell :MBRT120150R
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBRT120150R-DS
Dokument :
MBRT120150R Dokument
MBRT120150R DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 133.2000 | $ 133.2 |
| 5+ | $ 108.5000 | $ 542.5 |
| 10+ | $ 106.8400 | $ 1068.4 |
| 25+ | $ 100.7400 | $ 2518.5 |
| 50+ | $ 96.6000 | $ 4830 |
Auf Lager: 1520
MOQ :1 PCS
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Einzelpreis :$ 133.2
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MBRT120150R Informationen
GeneSiC Semiconductor MBRT120150R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Produktstatus:Obsolete
- Montagetyp:Chassis Mount
- Verpackung/ Koffer:Three Tower
- Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
- Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Diodentyp:Schottky
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:880 mV @ 60 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:1 mA @ 150 V
- Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):150 V
- Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):60A
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- REACH-Status:Vendor is not defined
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBRT120150R bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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