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GeneSiC Semiconductor MURT10040R
DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
Hersteller Modell :MURT10040R
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MURT10040R-DS
Dokument :
MURT10040R Dokument
MURT10040R DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 20+ | $ 200.1200 | $ 4002.4 |
| 40+ | $ 190.8800 | $ 7635.2 |
| 80+ | $ 182.4600 | $ 14596.8 |
Auf Lager: 2164
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MURT10040R Informationen
GeneSiC Semiconductor MURT10040R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Three Tower
- サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.35 V @ 50 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 50 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Anode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):400 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):50A
- 逆回復時間 (trr):90 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MURT10040R bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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