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Goford Semiconductor G05P06L
P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Hersteller Modell :G05P06L
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G05P06L-DS
Dokument :
G05P06L Dokument
G05P06L DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.1361 | $ 1.36 |
| 3000+ | $ 0.0756 | $ 226.8 |
| 15000+ | $ 0.0702 | $ 1053 |
| 30000+ | $ 0.0630 | $ 1890 |
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G05P06L Informationen
Goford Semiconductor G05P06L technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23-3
- 消費電力（最大）:4.3W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:120mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:37 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1366 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G05P06L bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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