Goford Semiconductor

Offizielle Website： http://www.goford.cn/

Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.

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G4616 Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)

GT090N06D52 Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

G20N06D52 Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M

G33N03D3 Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

G06NP06S2 Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4

G60N04K Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

18N10 Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63

630A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,

G86N06K Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,

60N06 Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M

3415A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6

G110N06K Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.

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