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Goford Semiconductor G06NP06S2
Hersteller Modell :G06NP06S2
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G06NP06S2-DS
Dokument : G06NP06S2 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
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G06NP06S2 Informationen
Goford Semiconductor G06NP06S2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Leistung – Max:2W (Tc), 2.5W (Tc)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SOP
- F E T- Typ:N and P-Channel
- F E T- Funktion:Standard
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):60V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G06NP06S2 bereitgestellt von Goford Semiconductor
Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.
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