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Goford Semiconductor G33N03D3
Hersteller Modell :G33N03D3
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G33N03D3-DS
Dokument : G33N03D3 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
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G33N03D3 Informationen
Goford Semiconductor G33N03D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- パワー - 最大:20W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3x3)
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:33A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.1V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17.5nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1938pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G33N03D3 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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