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Goford Semiconductor G33N03D3

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
part number has RoHS
Hersteller Modell :G33N03D3
Dasenic Modell :G33N03D3-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 0.2446$ 2.45
5000+$ 0.1359$ 679.5
15000+$ 0.1251$ 1876.5
30000+$ 0.1125$ 3375
Auf Lager: 48000
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Waren ausliefern :
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Zahlung :
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G33N03D3 Informationen

  • Goford Semiconductor G33N03D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • パワー - 最大:20W (Tc)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3x3)
  • F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
  • F E T機能:Standard
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:33A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1.1V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17.5nC @ 10V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1938pF @ 15V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G33N03D3 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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