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Goford Semiconductor G33N03D3

Name: G33N03D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G33N03D3-DS
Price: 0.4606 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 8566

MOQ: 1

4 Preisstufen

Hersteller Modell :G33N03D3
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G33N03D3-DS
Dokument : G33N03D3 Dokument PDF
Beschreibung : N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Verpackung :-
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Gesamt: $0.46

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1-10	$0.4606	-
11-5000	$0.2559	44.4% Speichern
5001-10000	$0.2380	48.3% Speichern
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Goford Semiconductor G33N03D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:8-PowerVDFN

Leistung – Max:20W (Tc)

Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (3x3)

F E T- Typ:2 N-Channel (Dual)

F E T- Funktion:Standard

Drain- Source- Spannung ( Vdss):30V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:33A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:12mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) ( Max) @ Id:1.1V @ 250µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1938pF @ 15V

EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant

MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

REACH-Status:REACH Unaffected

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.29.0095

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G33N03D3 bereitgestellt von Goford Semiconductor

Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.