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Goford Semiconductor G06N06S
Hersteller Modell :G06N06S
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G06N06S-DS
Dokument : G06N06S Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
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G06N06S Informationen
Goford Semiconductor G06N06S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- テクノロジー:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 消費電力(最大):-
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G06N06S bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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