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Goford Semiconductor G08P06D3
Hersteller Modell :G08P06D3
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G08P06D3-DS
Dokument : G08P06D3 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
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G08P06D3 Informationen
Goford Semiconductor G08P06D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
- 消費電力(最大):40W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2972 pF @ 30 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G08P06D3 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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